IBM vyrobilo funkční prototyp čipu pomocí 7nm technologie
Firmě IBM se ve spolupráci se společnostmi GlobalFoundries, Samsung a SUNY podařilo dosáhnout zajímavého prvenství. Jako vůbec první výrobce totiž zvládla přivést k životu funkční čip založený na 7nm výrobním procesu.
Jedná se zatím spíše o experiment a v blízké budoucnosti se zavedením masové výroby na základně 7nm technologie počítat nemůžeme. Přesto to je veliký úspěch, který potvrzuje, že je tento výrobní proces reálný a zejména funkční. Výroba těchto nových čipů nicméně nebyla zadarmo, jejich vývoj totiž spolkl 500 milionů dolarů a také celou řadu let výzkumu a testování.
Ale vraťme se k samotným čipům. Ty byly vyrobeny prvně v americkém Albany ve státě New York. Pro jejich výrobu musela být vyvinuta zcela nová technologie označovaná jako SiGe. Ta na rozdíl od současných technologií FinFET nevychází pouze z čistého křemíku, ale z kombinace křemíku s germaniem. Důvodem využití této kombinace prvků je to, aby byly tranzistory této velikosti vůbec schopny vést proud.
Využita byla také nová litografie EUV (Extreme Ultra Violet) s extrémně malou vlnovou délkou 13,5nm. Jen pro srovnání, v současnosti využívaný argon-fluoridový laser využívá 193nm vlnovou délku. Zavedení této litografie bylo prý velice obtížné a její komerční nasazení by bylo tudíž v současnosti také velice nákladné.
IBM slibuje, že budoucí zavedení nyní otestovaného výrobního procesu by mělo přinést nejen o polovinu vyšší výpočetní výkon a nižší spotřebu, ale také zmenšení plochy čipů až o 50% oproti 10nm procesu. To je zapříčiněno zejména nižší roztečí tranzistorů, tedy vzdáleností mezi přední hranou jednoho tranzistoru vůči druhému. Tato rozteč se totiž zmenší na 30 nm.
Na zavedení masové výroby 7nm čipů si však budeme muset ještě počkat. Očekávat je totiž můžeme nejdříve za tři roky vzhledem k tomu, že přechod na 10nm technologii pravděpodobně proběhne až někdy na přelomu roků 2016 a 2017.
