Samsung zahájil hromadnou výrobu 2. generace 10nm 16Gb LPDDR4X pamětí
Společnost Samsung zahájila masovou výrobu druhé generace pamětí LPDDR4X pro mobilní zařízení vycházejících z 10nm výrobního procesu.
Tyto paměti se mohou pochlubit nízkou spotřebou energie a dvojnásobným data rate, díky čemuž jsou ideální do mobilních zařízení, jako jsou třeba špičkové smartphony. Výrazně vyšší efektivita má za účel zejména pomalejší vybíjení telefonu a vyšší výdrž na baterii. Oproti současným běžným DRAM čipům pro smartphony se mohou nové čipy LPDDR4X údajně pochlubit snížením spotřeby o 10 % při zachování stejné přenosové rychlosti (data rate) 4266 Mb/s.
Samsung v současnosti zahájil výrobu 16Gb čipů, které na stejném výrobním procesu následující 8Gb čipy DDR4, jejichž výroba začala na podzim loňského roku. Samsung v případě LPDDR4X začne prodávat balíček DRAM kombinující čtyři 16Gb čipy, čímž nabídne kapacitu pamětí 8 GB. Tento balíček čtyřkanálových pamětí dokáže poskytnout datový přenos až 34,1 GB za sekundu. To vše v provedení o 20% tenčím než u první generace.
Výrobce nechce skončit pouze u 8GB balíčku pamětí LPDDR4X, ale nabídnout odběratelům také 4GB a 6GB provedení. Za tímto účelem rozjel jihokorejský výrobce novou výrobní linku v korejském Pchjongtcheku. Tím chce zajistit stabilní dodávku mobilních DRAM v reakci na rostoucí poptávku.
Zdroj: techPowerUp
