SK Hynix vyvíjí 8 Gb LPDDR4 paměti
Společnost SK Hynic Inc oznámila, že jako první na světě vyvinula 8 Gb LPDDR4 (Low Power DDR4) operační paměti.
Tyto paměti jsou vyrobeny pokročilou 20 nm technologií a jedná se o další generaci mobilních DRAM pamětí. Nové generace DRAM pamětí by měla poskytovat větší pracovní rychlost a to při nižší spotřebě elektrické energie, což zajišťuje také nižší pracovní teploty.
Nový produkt pracuje rychlostí 3200 Mb/s a nabídne také velice nízké napětí pouhých 1,1 V. Jinými slovy budou nové paměti pracovat dvakrát rychleji a při o něco nižším napětí než současná generace LPDDR3. Současná generace LPDDR3 standardu nabídne rychlost 1600 Mb/s při napětí 1,2 V. V současnosti jsou prototypy DRAM pamětí testovány a standardizovány. První testovací vzorky nyní také putují k největším obchodním partnerům, převážně z řad výrobců SoC.
Jejich sériová výroba by měla začít pravděpodobně někdy v druhé polovině tohoto roku. V chytrých zařízeních bychom se této generace pamětí měli dočkat nejdříve na konci letošního roku. Standardem by se pak měli stát až roku následujícího.
Zdroj: TechPowerUp
