Solidní budoucnost pevných disků – úvod k velkému testu SSD disků | Kapitola 2
Seznam kapitol
Největší inovací posledních let nejsou procesory, či grafické karty, nýbrž pevné disky. Kotouče s magnetickým povrchem nahradily čipy podobné těm z flashdisků. Projdeme si základní termíny jako trim, wear level, SLC a MLC a další fakta o SSD. Příště nás už pak čekají testy – nejprve malých 40GB a potom i větších 64GB modelů.
Jak bylo řečeno v úvodu, SSD disky se skládají z mnoha drobných elektronických součástek. Kromě stabilizátorů napětí a pasivních SMD součástek jako odpory a kondenzátory najdete na plošném spoji několik čipů složených z několika miliónů tranzistorů. Data při cestě do disku jako první potkají řadič (někdy označovaný jako driver nebo SSD processor. Ten se svojí konstrukcí velice podobá počítači a ono přirovnání k SSD procesoru není vůbec náhodné. Uvnitř totiž najdete procesor s redukovanou/úzce specializovanou instrukční sadou (RISC), který má za úkol řídit a optimalizovat práci s jednotlivými daty. Kvůli vzrůstajícím nárokům na výkon byla do řadičů integrována malá vyrovnávací paměť L1 cache 4 – 64 kB (instrukční i datová) a dále je k většině z řadičů možné připojit velkou vyrovnávací paměť od 16 po 256 MB.
O tom, jak rychle, jak velkou kapacitu a kolik buněk dokáže řadič obsloužit, může ledacos napovědět počet kanálů. Obecně platí, že čím více kanálů, tím lepší výsledky podává disk při náhodných operacích s malými bloky dat. Komunikace však probíhá podle typu návrhu a ne vždy musí vyšší šířka sběrnice nebo větší počet kanálů nutně znamenat vyšší výkon. Na první pohled velmi pokročilý Phison PS3016-S3 je doslova zabitý nekvalitním firmwarem, ale o tom až v samotné recenzi. Nejprve si prohlédneme video se základními typy buněk. Pro ty, kteří se na video nechtějí dívat, nabízím stručné vysvětlení:
SLC (Single-Level Cell) – konstrukčně nejjednodušší typ paměťové NAND Flash buňky. Díky jednoduchému návrhu dosahuje velmi vysokých rychlostí a dochází k menšímu opotřebení (~100 000 zápisů). Nevýhodou je potřeba použití většího množství buněk pro dosažení větší kapacity, čímž dochází k výraznému zvýšení ceny
MLC (Multi-Level Cell) – oproti SLC obsahuje buňka dvojnásobný počet plovoucích hradel (gate), díky tomu je možné v jedné buňce zachovat dvojnásobný počet informací. Nevýhodou je rychlejší opotřebení (~10 000 zápisů) a pomalejší přístup
3BPC (3bit per cell) – MLC se zvýšeným počtem hradel, místo 2 bitů umí zpracovávat 3 bity. Výhodou je opět navýšení kapacity vykoupené nižším výkonem
eMLC (Enterprise Multi-level cell) – jedná se o MLC buňky, u kterých byly provedeny dílčí úpravy pro zvýšení spolehlivosti, rychlosti a životnosti (~50 000 zápisů)
Kevin Kilbuck nám během pěti minut vysvětlí základní rozdíly mezi jednotlivými typy NAND Flash
Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.
