Takže pokud tomu dobře rozumim, tak se čip navrženej pro 65nm proces promítne na waffer ve zmenšení pomocí optiky? Vyrábí se to přece osvětlováním UV paprsky. Takže se jenom zmenší vlnová délka a předloha se promítne menší... Je to tak nějak? - Michal Ondráček
@Uživatel bez registrace
Pokud vim tak vlnova delka zustava stejna pri prechodech na nizsi vyrobni proces (samozrejmne dokud neni na hranici svich moznosti) pro lepsi vysledky se pouziva prave lepsi optika nove metody ozarovani wafferu atd. dobre je to popsany na SHW. Napriklad ted se pouziva "svetlo" o vlnove delce 193nm a pouziva se uz pro nekolik generaci vyrobnich technologii. - Neomen11
@Uživatel bez registrace
To sice jo, ale čip navrženej pro 90nm výrobu nemůžeš bez úprav vyrobit 65nm postupem. Nejsem přes tohle odborník, ale je tam spousta věcí co se může lišit a tím vyloučit kompatibilitu. - Lukáš Fiala
@Uživatel bez registrace
@Lukáš Fiala: Rozdily jsou v materialech tranzistoru a v jejich tvarech, takze sou pro ne potreba jiny masky a musej se upravit i pozice privodu k nim , a kdyz uz se pak upravuje todle, tak se vetisnou dela celkova modivikaci cipu a oprava znamejch chyb - Dr Meduza
A dalsi problem je s jinym zpozdenim signalu v cipu. Samozrejmne ze se lisi a nejde jen o to virobyt jemnejsi masku nebo predelat "zaostrovani" ale ja sem psal to ze se pouziva stejna vlnova delka pro ruzny vyrobni postupi a ne ze se pro kazdej pouziva svetlo s jinou vlnovou delkou jak psal Michal. - Neomen11