Zpět na článek

Diskuze: 3D NAND flash QLC čipy od Toshiba by měly zvládnout obdobný počet P/E cyklů jako TLC

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

radek.novak

Level 1

5. 7. 2017 06:16

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Takže oproti TLC se bude muset přepsat vše, když bude potřeba změnit jakýkoli ze 16 stavů. Tzn. bude to mít 2x nižší životnost než tlc a 4x než MLC v ideální situaci, kdy se nebudou často data přepisovat.
Tohle bude muset být opravdu extrémně levné a do počítače bych se to neodvážil dát.

Smazaný uživatel

Level 0

5. 7. 2017 14:17

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@radek.novak Ehm, pane nechcete si za domacu ulohu zopakovat rozdiel medzi bitom a bajtom?

hnizdo

Level 21

5. 7. 2017 13:54

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@radek.novak Nikoliv. Z hlediska uzivatele se prepisuji stranky a bloky, ne bunky. Bunky jsou na Flash technologii neadresovatelne. Pokud Toshiba uvadi zivotnost 1000 P/E, jedna se o udaj vztazeny na stranku, tedy obsahuje i overhead prepisu QLC bunek. Videl jsem nekde obrazek QLC bunky od Toshiby/WD a je to docela jiny design nez dosud, je klidne mozne ze jim to bude dobre fungovat.
https://www.pcper.com/news/Storage/Toshiba-and-Western-Digital-announce-QLC-and-96-Layer-BiCS-Flash