Paměti FRAM, které používám v práci se vyrábí cca 4 roky, zatím jen v malých kapacitách, mají bezlatenční přístup, nekonečnou (nezměřitelnou) životnost - dle datasheetu a nepotřebují napájení k udržení informace. Nemusí se k ní přistupovat po bloku, jako je tomu u FLASH. Jinak mezi hlavní nedodstatek FLASH bych radil pomerne velkou spotrebu pri naadresovani a omezeny pocet cyklu, coz u FRAM neni. A s tím zvýšeným napětím pro zápis si to patrně pletete s EPROM apod. U FLASH, alespoň těch průmyslových se nic takového neřeší! - Jakub Režný
@Uživatel bez registrace
Ano, vypadá to, že slibnější a vývojově vyspělejší (již aplikované) jsou technologie FRAM a také novější MRAM.
S tím zvýšeným napětím u pamětí flash to sedí, ale akumulace energie pro zápis probíhá interně, v tzv. [I]napěťové pumpě[/I]. Zápis také probíhá destruktivně pododbně jako u EEPROM, protože oba typy se odvozují od konstrukčně nevhodné ROM. K zápisu na flash se interně vytváří relativně vysoké napětí kolem 10 V. - xbeza