Paměti Flash mají, jak známo, limity znemožňující další miniaturizaci. S pokoročilejšími výrobními technologiemi je pro přepis dat potřeba vyšší napětí, které by při současném trendu brzy mohly nabýt nebezpečných hodnot.
Vědci z japonské univerzity Kanazawa vyvinuli prototypy PRAM čipů, které vydrží 400 tisíc přepisovacích cyklů (u Flash se většinou uvádí 1 milion). Paměť je vyrobena z materiálu obsahující antimon, selen a tellur.
Protože jsou ale PRAM paměti stále ještě ve fázi výzkumu, dočkáme se jich nejdříve za pár let. Zatím budou Flash paměti nahrazeny křemíkovými nanokrystaly, o kterých jsme psali koncem listopadu loňského roku.
Zdroj: The Inquirer
Diskuse (3)
Nejsi přihlášený(á)
Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.
Rychlé přihlášení přes: