Nástupce Flash pamětí: PRAM
Japonští vědci vyvinuli technologii, která pravděpodobně v budoucnu nahradí dnes velmi rozšířené Flash paměti. Jmenuje se PRAM (Phase Change RAM) a oproti Flash pamětem má nabídnout hlavně vyšší rychlosti čtení a zápisu.
Paměti Flash mají, jak známo, limity znemožňující další miniaturizaci. S pokoročilejšími výrobními technologiemi je pro přepis dat potřeba vyšší napětí, které by při současném trendu brzy mohly nabýt nebezpečných hodnot.
Vědci z japonské univerzity Kanazawa vyvinuli prototypy PRAM čipů, které vydrží 400 tisíc přepisovacích cyklů (u Flash se většinou uvádí 1 milion). Paměť je vyrobena z materiálu obsahující antimon, selen a tellur.
Protože jsou ale PRAM paměti stále ještě ve fázi výzkumu, dočkáme se jich nejdříve za pár let. Zatím budou Flash paměti nahrazeny křemíkovými nanokrystaly, o kterých jsme psali koncem listopadu loňského roku.
Zdroj: The Inquirer
