Diskuze: 28nm čipy v roce 2010

Uživatel bez registrace

Level 1

29. 9. 2008 23:03

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Len tak dalej, ak bude AMD robit PCU u TSMC, tak by mohlo ziskat technologicky naskok pred Intelom...
- Branislav Lacko

Uživatel bez registrace

Level 1

30. 9. 2008 00:50

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

>high-k metal gate (vysoce vodivá kovová hradla)
>silicon oxynitride (materiál pro výrobu tranzistorů a vlastně celého čipu)
..
no sebeduvera zde nekterym novinkarum nechybi, ale psat takove koniny to uz chce opravdu talent
- paco

Uživatel bez registrace

Level 1

30. 9. 2008 12:41

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Skusim tu konstruktivnu kritiku :)

"high-k metal gate (vysoce vodivá kovová hradla): -> su dve rozdielne veci, ktore sa ale pouzivaju spolu

metal gate (kovove hradlo) - nahradu za polykrystalicke kremikove hradlo

high-k material (material s vysokou dielektrickou konstantou) napriklad hafnium - pouziva intel pri 45 nm (viac sa nevie)

silicon oxynitride je nitridovane SiO2 cize izolator, izolacna vrstva v hradle hruba 1,2 nm (pre 28nm potrebuju mensiu hrubku ale 1,2 nm to su 4 atomy :)) V podstate nejde o hrubku ale o kapacitu vrstvy v inverzii, pozadujem vacsiu kapacitu -> mens hrubku a ak sa neda skusame iny material -> high-k

klasika lacne trazisotry sa vyrabaju s kremiku Si

ten orig clanok som preletel ocami ale hovori tam o dvoch rozdielnych vyrobach jednu s HKMG a druhu s low power SION

P.S pre chemikov ja viem ze SION nie je spravne, ale pre tuto diskusiu staci

Este je tam toho viac ale , ...

- Michal Fajta