28nm čipy v roce 2010
Ještě jsme nepřešli na 40nm výrobní proces a TSMC (největší výrobce polovodičových součástek) už má jasno o jeho nástupci. Po krátké zastávce u 32nm se začátkem roku 2010 chystá úspornější 28nm proces.
Reklama
Nový výrobní proces budou provázet dvě důležité technologie, které ještě zlepší vlastnosti tranzistorů: high-k metal gate (kovové hradlo + vysoce vodivý materiál) a silicon oxynitride (materiál pro výrobu tranzistorů a vlastně celého čipu).
i
Zdroj: PCTuning.cz
High-k metal gate (to titěrné uprostřed tranzistoru)
TSMC tvrdí, že by měl 28nm proces proti 40 nanometrovému zvýšit hustotu uvnitř čipu dvojnásobně. Rychlost by se poté měla zvýšit o 50% a spotřeba by se měla snížit o 30-50%.
Zdroj: TSMC
Reklama
Reklama
