40nm paměťové čipy
U paměťových čipů neexistuje shoda na použitém výrobním procesu tak jako u GPU nebo procesorů. Každý větší výrobce tak zkouší vlastní výrobní postupy. Samsungu se povedlo vyrobit prozatím nejmenší kousky s 40nm výrobním procesem.
První 40nm DDR2 paměťový čip má kapacitu 256MB. Samsungu se ho povedlo certifikovat v programu Intel Platform Validation pro použití jako 1GB DDR2 paměťový modul v noteboocích.
40nm výrobní proces umožní ještě více snížit napájení čipu. Samsung očekává asi 30% úspory proti 50nm paměťovým čipům. Dalším faktorem je cena výroby. Samsung tvrdí, že 40nm výrobní proces má oproti 50nm až o 60% vyšší výtěžnost (na 512MB DDR3 čipech).
Společnost také poodhalila své budoucí plány. Na 40nm procesu by se totiž mohly vyrábět DDR4 paměťové moduly, které postupem času nahradí dnešní DDR3. Masivní výrobu 40nm paměťových čipů Samsung plánuje zahájit v roce 2010.
Zdroj: PC Mag
