Samsung začíná vyrábět 256MB DDR3 čipy pomocí 30nm postupu
256MB 'zelené' DDR3 DRAM paměťové čipy postavené na 30nm výrobním postupu se právě dostaly do masové výroby.
Nové DDR3 paměťové čipy budou samozřejmě rychlejší, ale především energeticky-efektivnější než jejich předchůdci. Samsung udává, že jsou nové 30nm čipy s kapacitou 256MB schopné pracovat na frekvenci 1866 s napájením pouhých 1,35V nebo na taktu 2133MHz při napětí 1,5V. Overclockery potěší, že při zvýšení napětí bude určitě možné získat mnohem vyšší frekvence, ale důležitý je především ještě nižší odběr a nižší nároky na chlazení.
Paměťové čipy by se měly objevit v modulech pro desktopy, servery, notebooky, netbooky a dokonce i menší mobilní zařízení. Poptávka po DDR3 paměťových čipech se neustále zvyšuje tak, jak s nimi díky neustálému zvyšování účinnosti přicházejí menší a menší zařízení. Zajímavé je také, že Samsung plánuje ještě do konce tohoto roku rozšířit 'zelenou' řadu 30nm DDR3 paměťových čipů o 512MB kousky. To umožní vyrábět operační paměti s ještě větší maximální kapacitou.
Zdroj: TC Magazine
