![soc-noveho-tenciho-xbox-one-s-je-o-33-mensi-a-vyrabi-tsmc-16nm-finfet-procesem](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/article/default.jpg)
SoC nového tenčího Xbox One S je o 33 % menší a vyrábí TSMC 16nm FinFET procesem
Nová herní konzole Xbox One S prošla oproti původní verzi zeštíhlovací kůrou, a proto se museli změnit také komponenty nové konzole.
Microsoft při výrobě nové tenčí herní konzole Xbox One S využil zabudovaného napájecího zdroje. Tento zdroj mohl výrobce použít také díky nižšímu tepelnému zatížení vnitřních komponent a to především čipsetu. Konkrétně jde o SoC od AMD, jehož výrobu zajistila společnost TSMC pomocí 16nm výrobního procesu namísto 28nm, který byl využit pro výrobu SoC pro původní Xbox One.
![SoC nového tenčího Xbox One S je o 33 % menší a vyrábí TSMC 16nm FinFET procesem](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/media/images/rqtlee951ellcxs60cd579aba436143544537.jpg)
Zmenšením výrobního procesu čipu se zvýšila energetická účinnost tudíž se i snížily provozní teploty. Ostatně samotný čip se také zmenšil o 33 % na 240 mm2. Nový čip také získal několik klíčových komponent jako je hardwarový HEVC dekodér, hardwarové kodeky pro UHD s HDR, optická mechanika mechanika podporuje formát BD-UHD a vylepšeno bylo také rozhraní pro připojení displeje HDMI 2.0 s podporou technologie HDCP 2.2.
![SoC nového tenčího Xbox One S je o 33 % menší a vyrábí TSMC 16nm FinFET procesem](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/media/images/d83qasbygh5b14160cd579b5d7f6085067975.jpg)
Čip také provádí speciálním algoritmem upscaling Full HD rozlišení na 4K UHD. U nového SoC se také mírně zvýšila propustnost eSRAM pamětí z 204 na 219 GB/s.
Zdroj: Eurogamer