Toshiba vyvinula nový typ operačních pamětí MRAM
Toshiba a NEC dnes oznámili vývoj nového typu pamětí pod názvem MRAM neboli Magnetoresistive random access memory, která by měla kombinovat větší hustotu záznamu s rychlejšími časy pro čtení a zápis, které byly kdy dosaženy.
Čtecí a zapisovací rychlost by se měla pohybovat kolem 200MB za sekundu při nízkém napětí 1,8V. Největší pokrok byl učiněn u způsobu čtení z paměti. Nynější způsob vytvoření magnetického pole za účelem čtení dat z buněk je příliš pomalý. Paměť MRAM dosahuje snížení odporu ve vedení o 38%. Také latence je velice zajímavá. Jeden cyklus by měl trvat 34 nanosekund. Toshiba a NEC prohlásili, že čipy budou mít velikost 78.7mm2, což je o 30% méně než je běžné.
odkudkoliv kamkoliv
Očekává se, že MRAM nahradí současné paměťové čipy, které jsou nyní dostupné na trhu. Všechny pod taktovkou RAMBUSu, který vlastní licenční práva. Otázkou je, jestli se nové typy operačních pamětí prosadí a kolik za jejich licencování budou Toshiba a NEC požadovat.
Specifikace:
- 130nm CMOS a 240nm MRAM výrobní proces
- hustota záznamu 16 Mb
- velikost buňky 1.872 mikrometrů čtverečních
- délka jednoho cyklu 34 nanosekund
- rychlost čtení a zápisu 200 MB/s
- voltáž 1.8V
Zdroj: MRAM info
