56nm Flash čipy od Toshiby a Sandisku
Toshiba začala nabízet Flash čipy vyráběné novým 56nm procesem, který vyvinula společně se Sandiskem.
Zbrusu nové MLC (multi-level cell) NAND Flash čipy mají kapacitu úctyhodných 8Gbit (1GB) a oproti starším čipům používajícím 70nm postup jsou rychlosti zápisu přibližně dvakrát vyšší - nebo to alespoň Sandisk tvrdí; Toshiba uvádí rychlost zápisu konkrétně jako 10MB/s. K tomu přispěla také zvětšná page size (velikost dat, které lze zapsat najednou) ze dvou na čtyři kilobajty.
Velkoobjemová výroba 8Gbit čipů pomocí 56nm technologie se rozjede ještě tento měsíc. Ačkoliv čipy bude nabízet i Sandisk, vyrábět se budou u Toshiby, ve Fab 3 v japonské Nagoye. Počátkem druhé čtvrtiny tohoto roku se začnou vyrábět čipy s kapacitou 16Gbit, tedy 2GB. Sandisk bude 56nm výrobní proces také používat, ale nejdříve musí dostavět továrnu Fab 4. Ta bude hotová přibližně koncem roku.
Podle tiskové zprávy Toshiby se čipy budou dodávat v balení TSOP Type I (thin small outline package) se 48 piny a rozměry 20x12x1,2mm.
