Hynix chňape po Z-RAM
Hynix, výrobce DRAM pamětí, údajně jedná s firmou Innovative Silicon o licenci na výrobu pamětí založených na technologii Z-RAM.
O Z-RAM jsme poprvé psali již v lednu 2006, kdy licenci na tuto technologii získalo AMD. Bezmála o rok později se objevila zpráva, že společnost Innovative Silionc Inc., která za vývojem Z-RAM stojí, představila její druhou generaci.
Pokud nemáte čas číst starší novinky, ve zkratce vysvětlím, o co se jedná: Z-RAM je typ paměti podobný DRAM či SRAM, která využívá přirozené anomálie u waferů vyrobených SOI procesem a díky tomu stačí pro uložení jednoho bitu jediný tranzistor. Z-RAM tedy na stejné ploše dosahuje dvojnásobné kapacity DRAM čipu a až pětinásobné kapacity zařízení typu SRAM. Původně byla Z-RAM vyvíjena jako vestavěná paměť pro různé čipy a víceméně jako náhrada za SRAM. AMD, přestože jako jedna z mála společností vlastní továrny pro výrobu na SOI technologii, ale zatím Z-RAM ve svých procesorech nepoužívá a těžko říct, jestli někdy použije. Spíše to vypadá, že po Z-RAM sáhnou výrobci DRAM pamětí, jako například korejský Hynix.
Nepředstavujte si Z-RAM jako svébytný typ paměti - spíše jde o soubor intelektuálního vlastnictví, které lze použít pro vylepšení současných DRAM čipů (ovšem použití pro procesorové cache stále není vyloučeno). ISi má na Z-RAM 25 patentů a dalších 50 čeká na schválení. Podle DailyTechu zaplatí Hynix za licenci 10 milionů dolarů plus bude průběžně platit licenční poplatky za vyráběné produkty. Výhody technologie Z-RAM za to ale evidentně stojí (do "to" si připočtěte ještě náklady na přechod na SOI výrobu a wafery, které jsou pro SOI dražší, než ty pro bulk postupy).
Krom toho, že Hynix získá licence na technologii Z-RAM, mu inženýři z Innovative Silicon pomohou s implementací těchto technologií. Plodů jejich spolupráce, ať už z toho nakonec vzejde cokoliv, bychom se měli dočkat kolem roku 2010.
