Intel a Micron oznámili úspěšné vyrobení 20nm paměťových čipů
Rekordem je vyrobení 16GB paměťového čipu, který má rozhraní ONFI 3, přes které dokáže přenášet data rychlostí 400 MB/s.
Vývoj jde neuvěřitelným tempem dopředu a zatím co byly v průběhu letošního roku uvedeny flashové disky s NAND čipy, vyrobenými 25nm technologií, příští rok už můžou nastoupit zase o fous menší. IMFT (Intel Micron Flash Technologies) oznámili úspěšné vyrobení NAND flash pamětí na 20nm výrobním procesu. A rovnou dvou, 64 Gb MLC (MultiLevel Cell) pamětí se starším rozhraním ONFI 2.x a (mnohem zajímavějším) 128 Gb s rozhraním ONFI 3 (Open NAND Flash Interface).
IMFT již v minulosti oznámili první vyrobení 20nm paměťového čipu. Tehdy to byl čip s kapacitou 64 Gb (8 GB) a rozhraním ONFI 2.x, které má teoretickou propustnost 200 MB/s. ONFI 3 má propustnost 2× vyšší, tedy 400 MB/s. Díky takovému tempu vývoji se již brzy dočkáme stále levnějších SSD, kdy stačí pro stejnou kapacitu a vyšší rychlost menší počet čipů.
Prvenství je ale také ve velikosti čipu, tedy 128 Gb (16 GB), při použití 8 vrstev v jednom balení se dostáváme na velikost 128 GB jednoho čipu. Pro vytvoření 1 TB disku nám tak stačí pouze 8 paměťových čipů, pro 2TB pak 16. Tyto paměťové čipy se ale nepoužívají jen v SSD, ale také ve flash discích, mobilních telefonech apod. Pro rozhraní ONFI 3 však ještě není žádný řadič, proto přijdou na řadu 128 Gb paměti až na začátku roku 2013. V polovině roku 2012 se budou masově vyrábět 64 Gb paměťové čipy se starším rozhraním. Některé možná bude zajímat jak je to s životností buněk, která se mezi 34nm a 25nm výrobním procesem snížila. Podle IMFT je počet přepisů stejný, jako u 25nm výroby, tedy 3000 – 5000 cyklů.
Zdroj: Anandtech
