Samsung má první paměti typu DDR4

Jihokorejská společnost Samsung Electronics informovala o vyrobení prvního paměťového modulu DRAM typu DDR4. Paměť je napájena pouze 1,2 V (oproti 1,5 V, resp. 1,35 V u DDR3/DDR3L), přičemž její propustnost je 2,133 Gb/s. Pro její stavbu byly použity paměťové čipy vyráběné 30 nm procesem. Modul využívá technologie Pseudo Open Drain, díky níž bylo při čtení/zápisu oproti běžným DDR3 pamětem docíleno snížení jejich energetické náročnosti téměř o polovinu. V mobilních počítačích by poté měla být spotřeba nižší až o 40 procent. Paměti se na trhu začnou objevovat začátkem roku 2012, kdy by měly být dostupné moduly s propustností od 1,666 Gb/s do 3,333 Gb/s.

i Zdroj: PCTuning.cz

Zdroj: 1 2