Samsung začíná ve velkém vyrábět 14 nm DDR5 DRAM
Samsung oznámil zahájení masové výroby dosud nejmenších 14 nm DRAM založených na EUV technologii. Moderní výrobní postup umožní zvýšit bitovou hustotu a zároveň snížit spotřebu.
Společnost Samsung oznámila začátek masové výroby dosud nejmenších 14 nm DRAM založených na extreme ultraviolet (EUV) technologii. Počet EUV vrstev se od loňského března, kdy došlo k expedici prvních kusů DRAM založených na této technologii, zvýšil na pět.
DRAM se tímto přibližují k hranici 10 nm, což jen zvyšuje důležitost EUV technologie, která pomáhá zlepšit přesnost při výrobě waferů. Jejich hustota se díky použití EUV zvýšila o přibližně 20 % a 14 nm výrobní postup zároveň snížil spotřebu o 20 % oproti předchozí generaci DRAM.
DDR5 DRAM s 14 nm výrobním procesem by měly dosáhnout na rychlost až 7,2 Gb/s, tedy více než dvojnásobek oproti DDR4 s rychlostí až 3,2 Gb/s.
Samsung plánuje rozšířit výrobu 14nm DDR5 modulů, aby zajistil poptávku při stavbě nových datacenter, superpočítačů a podnikových serverů. DRAM čipy by časem měly dosahovat kapacity až 24 Gb.
