45nm výrobní proces od Intelu
Ve druhé polovině roku představí Intel procesory vyráběné novou 45nm technologií. Už dříve se vědělo, že nepůjde o jen tak ledajaký die-shrink, nyní již víme, přesně jakých změn nový výrobní postup doznal.
Problém s úniky proudu (leakage current) je poměrně dobře znám. Únik proudu znamená, že i vypnutým tranzistorem protéká nějaký proud a výsledkem je vyšší spotřeba a odpadní teplo, které čip vydává. Tento jev je způsoben tím, že dielektrikum v bázi tranzistoru (dnes se používá oxid křemičitý) je velmi tenký - u 65nm procesu s použitím SiO2 pouhých 1,2nm, což dělá asi 5 vrstev molekul.
U 45nm procesorů Intelu je báze tranzistoru vyrobena z kovu a dielektrikum je high-k materiál založený na hafniu. Intel si od tohoto slibuje několikanásobně nižší úniky proudu a o 20% vyšší výkon tranzistoru. Myslím že to by k tématu výroby stačilo, nyní si něco povězme o 45nm procesorech, které pro nás Intel chystá.
45nm die-shrink jádra Conroe jménem Penryn přinese, jak už to u die-shrinků bývá, novou verzi SSE (v tomto případě SSE4) a zvětšenou cache: sdílená vyrovnávací paměť druhé úrovně naroste ze 4 na 6MB. Intel tedy jde úplně jinou cestou než AMD, které nebude zvětšovat L2 cache, ale přidá sdílenou cache třetí úrovně. Jádro Penryn má 410 milionů tranzistorů. Pro srovnání, generace Conroe/Merom/Woodcrest má 293 milionů tranzistorů a první Pentium 4 z roku 2000 (180nm jádro Willamette) obsahovalo 42 milionů tranzistorů.
V souvislosti se 45nm procesem jsme již několikrát zmínili čtyřjádrový procesor jménem Yorkfield. Ten podle všeho nakonec nebude monolitickým čipem, jako quad-core v podání AMD, nýbrž slepenina ze dvou jader Penryn. Tento přístup, který Intel použil u Kentsfieldu/Clovertownu je očividně vyhovující a tak se jej Intel bude držet i nyní. "Skutečných" čtyřjader v podání Intelu se tak dočkáme až u architektury Nehalem, což je záležitost druhé poloviny příštího roku.
Zdroj: Anandtech, bit-tech.net, TGDaily
