50nm DDR3 čipy
Samsung stál u mnoha milníků týkajících se paměťových čipů. Nejinak je tomu s oznámením 2Gb DDR3 čipů vyrobených 50nm výrobní technologií, které by podle výrobce měly být mnohem menší než starší modely.
Reklama
Nové DDR3 čipy jsou schopny dosahovat propustnosti až 1.3Gb za sekundu, zatímco ty starší zvládaly jen 800Mb za sekundu. Nové čipy by tedy měly být teoreticky o 60% rychlejší a měly by spotřebovávat pouhých 60% energie starších modelů. Samsungu se navíc podařilo dostat napájení na příjemnou hodnotu 1.5V.
i
Zdroj: PCTuning.cz
Starší 1Gb verze od Samsungu
Díky vyšší hustotě dat budou dostupné první paměťové kity s kapacitou 2x8GB pro desktopy a 2x4GB pro notebooky. Výroba prvních DDR3 modulů je naplánována na konec letošního roku.
Zdroj: EPRIM
Reklama
Reklama
