Freescale: technologický průlom v MOSFETech
Vědci se již přes 40 let snaží vytvořit MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, tedy polem řízený tranzistor) ze sloučeniny arzenu a gallia. Nyní se to podařilo Freescalu.
V čem že jsou MOSFETy z GaAs (arzenid gallitý) lepší než dnes běžně používané křemíkové? Údajně totiž dokáží vést elektrony až 20x rychleji. Největším problémem, se kterým se vědci potýkali, spočíval v tzv. únicích proudu. Vědcům z Freescale Microwave and Mixed Signal Technologies Laboratory se podařilo toto vyřešit.
Přetrval však problém číslo 2, kterým je poněkud vyšší cena GaAs. Díky tomu se čerstvě vyvinuté MOSFETy, které se začnou vyrábět za 3-5 let, budou používat výhradně ve speciálních zařízeních, kde se na cenu moc nehledí. Zdali se někdy tento vynález dostane i do běžného PC, je ve hvězdách.
Zdroj: The Inquirer, Yahoo News
