![ibm-vyrobilo-funkcni-prototyp-cipu-pomoci-7nm-technologie](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/article/default.jpg)
IBM vyrobilo funkční prototyp čipu pomocí 7nm technologie
Firmě IBM se ve spolupráci se společnostmi GlobalFoundries, Samsung a SUNY podařilo dosáhnout zajímavého prvenství. Jako vůbec první výrobce totiž zvládla přivést k životu funkční čip založený na 7nm výrobním procesu.
Jedná se zatím spíše o experiment a v blízké budoucnosti se zavedením masové výroby na základně 7nm technologie počítat nemůžeme. Přesto to je veliký úspěch, který potvrzuje, že je tento výrobní proces reálný a zejména funkční. Výroba těchto nových čipů nicméně nebyla zadarmo, jejich vývoj totiž spolkl 500 milionů dolarů a také celou řadu let výzkumu a testování.
![IBM vyrobilo funkční prototyp čipu pomocí 7nm technologie](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/media/images/pughi7ypp4ub9pt60d1c39eeb446506930015.jpg)
Ale vraťme se k samotným čipům. Ty byly vyrobeny prvně v americkém Albany ve státě New York. Pro jejich výrobu musela být vyvinuta zcela nová technologie označovaná jako SiGe. Ta na rozdíl od současných technologií FinFET nevychází pouze z čistého křemíku, ale z kombinace křemíku s germaniem. Důvodem využití této kombinace prvků je to, aby byly tranzistory této velikosti vůbec schopny vést proud.
![IBM vyrobilo funkční prototyp čipu pomocí 7nm technologie](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/media/images/n592rsmcll58u8060d1c39f92359323264982.jpg)
Využita byla také nová litografie EUV (Extreme Ultra Violet) s extrémně malou vlnovou délkou 13,5nm. Jen pro srovnání, v současnosti využívaný argon-fluoridový laser využívá 193nm vlnovou délku. Zavedení této litografie bylo prý velice obtížné a její komerční nasazení by bylo tudíž v současnosti také velice nákladné.
IBM slibuje, že budoucí zavedení nyní otestovaného výrobního procesu by mělo přinést nejen o polovinu vyšší výpočetní výkon a nižší spotřebu, ale také zmenšení plochy čipů až o 50% oproti 10nm procesu. To je zapříčiněno zejména nižší roztečí tranzistorů, tedy vzdáleností mezi přední hranou jednoho tranzistoru vůči druhému. Tato rozteč se totiž zmenší na 30 nm.
![IBM vyrobilo funkční prototyp čipu pomocí 7nm technologie](https://storage.googleapis.com/pctuning-cz/media/images/6kggcfevxg17nkw60d1c3a067e5c321821425.jpg)
Na zavedení masové výroby 7nm čipů si však budeme muset ještě počkat. Očekávat je totiž můžeme nejdříve za tři roky vzhledem k tomu, že přechod na 10nm technologii pravděpodobně proběhne až někdy na přelomu roků 2016 a 2017.