Intel a Micron oznamují 5x rychlejší NAND Flash paměti
V současnosti používané NAND flash paměti disponují rychlostí okolo 40 MB/s pro čtení a 20 MB/s pro zápis. Při náhodném přístupu jasně překonávají klasické pevné disky, ale při sekvenčním čtení až doposud nedosahovaly jejich výkonu.
To by se však mělo změnit s příchodem nové technologie, kterou oznámil Intel a Micron. Těm se podařilo vyvinout nové NAND Flash paměti, které se chlubí rychlostí až 200 MB/s čtení a 100 MB/s zápis. Z části bylo této rychlosti dosaženo díky novému ONFI 2.0 standardu, který redukuje čas potřebný k přenosu dat ve vyrovnávací paměti s použitím Double Data Rate signaling. Dále pak přesně synchronizuje frekvenci se zdrojem, což ve finále umožňuje dosahovat vyšších taktů. Tyto specifikace společně s „four-plane“ architekturou a vyššími frekvencemi pomohou Intelu a Micronu produkovat nejrychlejší NAND čipy na světě.
Ani jedna ze společností dosud neodhalila, kdy by mohla být nová technologie použita ve spotřební elektronice.
adept konkurzu: Vladislav Formánek
