Průlom ve výrobě pamětí Samsungu: 512MBit DRAM na 70nm technologii
Samsungu se jako prvnímu na světě povedlo vyrobit paměťový čip o velikosti 512MBit (64MB) novou výrobní technologií 70nm, oproti původně používané 80nm a 90nm. Oproti 90nm tak umožní z jednoho waferu vytěžit až dvojnásobné množství čipů.
Nové paměťové čipy vyrobené 70nm technologií budou pracovat při napětí 1,8V a využití najdou zejména v mobilních zařízení, kde je velikost rozhodujícím faktorem – stejné množství paměti díky nové technologii bude zabírat méně místa, popřípadě při stejném záběru plochy bude možno umístit větší množství paměti.
Při výrobě těchto čipů bylo nutné překonat technické problémy týkající se hlavně refreshování pamětí - ty se povedlo odstranit zejména pomocí nových technologií Samsungu - 3D architektuře tranzistorů známé jako "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" a výrobě kondenzátorů pomocí Metal-Insulator-Metal technologií.
S pamětmi vyrobenými tímto procesem se začneme setkávat od poloviny příštího roku, kdy Samsung plánuje jejich masové nasazení a výrobu čipů o kapacitách 512Mb, 1Gb a 2Gb. Samsungu se tak již po několik let v řadě snaží vylepšovat výrobní technologii – zatímco v roce 2002 představil 90nm výrobu, o rok později to již byla 80nm a letos se setkáváme se 70nm. Stejně tak rostla i velikost vyrobených modulů – od 64Mb v roce 1992 až po 2Gb v roce loňském.
