STT-RAM: náhrada za DRAM, SRAM a Flash zároveň?
Společnost jménem Grandis Inc. vyvíjí paměť, která kombinuje vlastnosti pamětí DRAM a Flash a v budoucnu by je mohla nahradit.
Někteří odborníci tvrdí, že paměti typu DRAM, které se dnes hojně využívají jako operační paměti počítače, bude složité dále zmenšovat a že s výrobními procesy menší než 45nm už by jejich výroba nemusela být zdaleka tak efektivní. Shodou okolností, na podobné problémy naráží i paměti typu Flash. Několik technologií aspirujícíh na nástupce obou typů pamětí už tu bylo, zde je další: STT-RAM.
Paměťová buňka u technologie STT-RAM je přibližně stejně velká jako buňka DRAM, a asi čtyřikrát až osmkrát menší než buňka SRAM. Údajně je rychlejší než Flash i DRAM a zároveň je stálá, tedy neztrácí data po vypnutí napájení. Mezi výhody STT-RAM patří také nízká spotřeba: k zápisu stačí napětí pouze 1,2V a proud v rozmezí 100-200μA, při současné výrobě na 90nm procesu. S použitím 45nm a menších postupů bude potřebný proud nižší než 100μA. V budoucnu by STT-RAM mohly nahradit DRAM a Flash, ale také SRAM. SRAM paměti, používané jako cache u procesorů, jsou sice rychlé, avšak trpí vysokými úniky proudu (current leakage).
Zkratka STT znamená spin-transfer torque a paměť STT-RAM ukládá jedničky a nuly jako spin elektronů. Spin může být obrácen elektrickým proudem, který elektrony polarizuje. No, raději se nebudu tvářit, že tomu rozumím, a přítomné fyziky a chemiky toužící po více informacích odkáži na server Embedded.com.
Zdroj: Embedded.com
