Technologie změny stavu má nahradit Flash paměti
Flash paměti s námi nebudou napořád a hledají se nové technologie, které je nahradí. Jedním z kandidátů je tzv. phase-change, volně přeloženo jako technologie změny stavu.
Nová technologie, kterou společně vyvíjejí IBM, Macronix a Qimonda, má velmi dobré vyhlídky - Phase Change paměti se neopotřebovávají přepsáním, jejich buňky se přepínají 500x rychleji, než u Flash pamětí a dovolí výrobu na 22nm procesu, ne-li ještě menším. Pro srovnání, Flash paměti budou mít problém dostat se dál než na 45nm. Společnosti dnes představily funkční prototyp phase-change paměti.
Nyní se pokusím objasnit, jak to funguje. Základem Phase Change zařízení je můstek z polovodičové slitiny germania a antimonu (GeSb), která je přepínána mezi dvěma podobami (stavy). Ta s pravidelnou krystalickou mřížkou má nižší elektrický odpor, amorfní podoba s neuspořádanými částicemi odpor vyšší - podle toho se rozliší nula od jedničky.
Pro přepínání mezi dvěma stavy slouží elektrický proud, kterým se můstky zahřívají. Při náhlém vypnutí napájení a rychlém zchlazení slitina ztuhne v amorfní podobě, při pozvolnějším snižování protékajícího proudu se atomy stihnou uspořádat do krystalové mřížky.
Klikněte na obrázek pro zvětšení
V lednu letošního roku jsme psali o tzv. PRAM - Phase Change RAM. Tenkrát bylo známo jen to, že na něčem takovém pracují japonští vědci - nyní už se zdá, že komerční využití této technologie není nijak závratně daleko.
Zdroj: DailyTech
