DDR3 od Hynixu certifikovány Intelem
Korejský Hynix oznámil, že jeho DDR3 moduly byly certifikovány Intelem pro použití s jeho čipsety.
První DDR3 moduly od Hynixu budou mít kapacity jednoho nebo dvou gigabajtů a budou používat 1Gbit DDR3 SDRAM čipy vyráběné 80nm technologií. Jejich frekvence jsou 800 a 1066MHz s latencemi CL5-5-5 nebo 6-6-6 pro 800MHz verzi a CL7-7-7 u výše taktovaných modulů. Jedinou výhodou oproti DDR2 bude tedy nižší spotřeba až o 25% díky sníženému pracovnímu napětí na 1,5V. Nicméně, bojím se, že cena tuto přednost několikanásobně smaže.
80nm 1Gbit DDR3 čipy začne Hynix vyrábět ve velkém ve třetí čtvrtině roku. Poměrně brzy je však nahradí die-shrinky na 66nm postup, který Hynix začne používat koncem roku.
A přidám ještě další zprávu. Hynix je druhým největším výrobcem DRAM pamětí po Samsungu, brzy by se však mohl stát jedničkou. Podle reportu serveru DRAMeXchange Hynix za první čtvrtinu roku zaznamenal růst obratu a podílu na trhu, zatímco obrat Samsungu se oproti čtvrtému kvartálu roku 2006 značně propadl. Co se podílu na trhu týče, polepšila si také Elpida.
Graf znázorňuje vývoj podílu na trhu za poslední dva roky. Společnosti, které vyrábějí ve společných podnicích (joint venture), jsou sloučeny do jedné křivky. Přestože by se zdálo, že Hynix a Elpida budou nadále zvyšovat svůj podíl na trhu, analytici se domnívají, že již v tomto čtvrtletí se růst jejich křivek zpomalí a naopak Samsung by si mohl upevnit své postavení v čele pelotonu.
Zdroj: DigiTimes, X-bit labs
