Asus Maximus VI Extreme – nejlepší deska pro LGA 1150 | Kapitola 8
Seznam kapitol
Před několika měsíci Intel uvedl procesory rodiny Haswell. Veřejnost je sice přijala chladně, budou s námi ale celkem dlouho, a tak jsou nevyhnutelnou budoucností mnoha z vás. Jejich čas zkrátka přijde. S novými čipy přichází i řada nových desek a my vám dnes ukážeme tu nejvybavenější ze všech. Extrémní královna patice LGA 1150 je tu!
Na obrázku vidíme napájecí okruhy desky. Červeně je označena kaskáda napájení procesoru. Ta je tvořena osmi fázemi z NexFET mosfetů společnosti Ti. Šest fází napájí procesor zbylá dvojice pak zbytek čipu, ty jsem označil oranžově. Růžově jsou zvýrazněné napěťové kontroléry. Žlutě jsem zvýraznil fázi napájení PCH čipu a modře dvě fáze napájení pamětí. Další barva - zelená pak patří napájecím konektorům desky.
Napájení Extreme Digi+ III
Výrobce jednou nazývá napájecí kaskádu Digi+ (III) a jindy Extreme Digi+. Obě jsou ale naprosto stejné, liší se jen součástkami. Hlavní kontrolér pro CPU část je zde IR (čtyř fázový) ovládá každou jednotlivou fázi zvlášť, každá je ale násobená pomocným prvkem. Fáze jsou čtyři fyzické, násobené dvěma. Každá fáze se skládá z vlastního Driveru (je součástí NexFETu) a výkonové části s děličem. V tomto případě lze každou fázi ovládat zcela nezávisle na těch ostatních, to je důležité k dynamickému vypínání a zapínání fází (EPU). Fáze digitální se skládá ze stejných komponent jako fáze analogová. Hlavní je řídící člen - Driver. S ním je ve stejném pouzdře horní a dolní (Hi a Lo) mosfet, společně s pasivními prvky - kondenzátorem a cívkou. Nyní se podívejme na napájení částí dnešní desky v detailech:
NexFET od Ti
Dělič od IRF
Procesorová jádra napájí osm fází sestavených z NexFET mosfetů. Maximální proud jež obvod může teoreticky dodat do procesoru, je kolem 500A. Mosfety doplňují kvalitní kondenzátory od společnosti Nichicon. Na zadní straně PCB je pak umístěna další čtveřice děličů pro napájení jader CPU. Procesorové napájení se venku nijak nedělí, vše rozhodne až VR obvod uvnitř čipu.
Paměti jsou napájeny obstojně. Jde o dvoufázový obvod ze stejných prvků jako jsme viděli u CPU. Každá fáze se skládá ze dvou mosfetů (Hi a Lo) NexFET od Ti, kondenzátorů a cívek. Oba okruhy řídí samostatný kontrolér IR ASP1108. Jde také o digitální okruh.
Hlavní PWM kontrolér je osazen ASP1251 od IR, i když se zdá jako z produkce Asus. Jde o čtyř-fázový kontrolér splňující poslední standardy Intelu. V tuto chvíli už je jasné, že osm digitálních fází je řízeno skrze tento kontrolér. Pracovní frekvence je u každého digitálního obvodu nastavitelná, zde je možné nastavit plynulý rozsah od 300-500 kHz.
Kontrolér obvodu pro paměti
Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.
