Od písku k procesoru: Jak se pouzdří integrované obvody | Kapitola 2
Seznam kapitol
Za výrobou procesoru se ukrývají stovky složitých operací a zabere mnoho času. Z celého procesu už jsme si popsali postup od těžby písku přes základní stavební prvky čipu a výrobní kroky až po rozřezání waferu na jednotlivé integrované obvody. V posledním, o něco kratším dílu, si popíšeme, jak se hotové integrované obvody pouzdří.
několik na sobě položených nakontaktovaných integrovaných obvodů v jednom pouzdře
Jakmile je obvod přilepen v pouzdře (může jich být až několik na sebe, mluvíme pak o 3D integrovaném obvodu, viz obrázek), je potřeba jej tzv. nakontaktovat. Kontaktování znamená vodivé propojení integrovaného obvodu s pouzdrem. Nejčastěji se tak děje pomocí mikrodrátků jednou z těchto tří technologií — termokomprese, ultrazvukové svařování nebo termosonické svařování.
svár vytvořený termokompresí (zdroj: cube.cz)
Při termokompresi se svár vytváří kombinací teploty a tlaku. Zlatý drátek je přiložen ke kontaktní plošce a zahřán na teplotu 250-380 °C. Následně je k plošce přitlačen, čímž dojde k roztavení zlata, které se jinak taví až při teplotě 1064 °C a vzniku sváru.
svár vytvořený ultrazvukovým svařováním (zdroj: ami.ac.uk)
Ultrazvukové svařování je založeno na kmitání drátku a kontaktní plošky s frekvencí 30-120 kHz. Při této frekvenci dojde na základě smykového tření k prolínání atomu obou kovů a vzniku sváru. Spoj se vytváří při pokojové teplotě a nejčastěji používaným materiálem drátků je hliník.
prasklé pouzdro integrovaného obvodu, uvnitř je vidět samotný integrovaný obvod a propojení s pouzdrem pomocí mikrodrátků
Termosonické svařování je kombinací ultrazvukového a termokompresního. Drátek i kontaktní ploška jsou totiž současně jak zahřívány, tak jsou rozkmitávány na frekvenci v řádu desítek kHz.
Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.
